Материалы, структуры и приборы полупроводниковой оптоэлектроники
- Автор(ы)
- Гермогенов В.П
- Год
- 2015
- Издательство
- Издательский Дом Томского государственного университета
- Язык
- rus
- ISBN
- 978-5-94621-475-9
- Библиографическая ссылка
- Томск : Издательский Дом Томского государственного университета, 2015. – 272 с.
- Теги
- физика Электроника
Аннотация
Материалы, структуры и приборы полупроводниковой оптоэлектроники Год издания : 2015 Автор : Гермогенов Валерий Петрович Жанр : учебное пособие Издательство : Томск: ИД Томского государственного университета ISBN : 978-5-94621-475-9 Язык : русский Формат : PDF Качество : издательский макет или текст (eBook) Интерактивное оглавление : нет Количество страниц : 272 Описание : В учебном пособии рассмотрены свойства основных полупроводниковых материалов и характеристики барьерных структур (p–n-переходов и гетеропереходов), использующихся при создании оптоэлектронных приборов. Описаны принципы действия, основные характеристики и конструкции фотодиодов, фотопреобразователей, светодиодов и инжекционных лазеров. Для студентов старших курсов высших учебных заведений, обучающихся по направлениям «Физика», «Радиофизика», «Электроника и наноэлектроника», а также аспирантов и научных сотрудников, работающих в области полупроводниковой электроники и оптоэлектроники. Примеры страниц Оглавление Предисловие 1. Электроны и дырки в полупроводниках (некоторые сведения из физики полупроводников) 1.1. Носители заряда в полупроводниках 1.2. Концентрации носителей заряда и ионизованных примесей 1.2.1. Концентрация свободных электронов 1.2.2. Концентрация свободных дырок 1.2.3. Концентрации ионизованных примесей 1.3. Вид уравнения электронейтральности для различных случаев легирования полупроводника 1.3.1. Собственный полупроводник 1.3.2. Полупроводник с донорной примесью 1.3.3. Полупроводник с акцепторной примесью 1.3.4. Частично компенсированный полупроводник 1.3.5. Полупроводник с двумя типами минимумов в зоне проводимости 1.4. Примеры решений уравнения электронейтральности 1.4.1. Зависимости концентраций свободных носителей заряда в GaAs от концентраций легирующих примесей 1.4.2. Температурные зависимости концентраций свободных носителей в арсениде галлия Контрольные вопросы 2. Поглощение оптического излучения в полупроводниках 2.1. Закон Бугера–Ламберта 2.2. Спектральная зависимость коэффициента поглощения 2.3. Оптическая генерация носителей заряда Контрольные вопросы 3. Излучение света в полупроводниках 3.1. Люминесценция полупроводников 3.2. Излучательная и безызлучательная рекомбинации 3.2.1. Межзонная излучательная рекомбинация 3.2.2. Экситонная люминесценция 3.2.3. Примесная люминесценция 3.2.4. Донорно-акцепторная люминесценция 3.2.5. Безызлучательная рекомбинация 3.2.6. Внутренний квантовый выход 3.3. Спектры рекомбинационного излучения 3.4. Влияние легирования на спектры люминесценции полупроводников Контрольные вопросы 4. Основные свойства p–n-переходов 4.1. Образование потенциального барьера в p–n-переходе 4.2. Характеристики барьера в резком p–n-переходе 4.3. Характеристики барьера в плавном p–n-переходе 4.4. Диффузионные токи в p–n-переходе. Инжекция и экстракция носителей заряда 4.5. Рекомбинационный и термогенерационный токи в p–n-переходах 4.6. Туннелирование в p–n-переходах 4.7. Проводимость p–n-перехода при переменном напряжении Конт