Основы технологии кремниевых интегральных схем: окисление, диффузия, эпитаксия

Автор(ы)

Бургер Р, Донован Р

Год

1969

Теги

физика Химия Электроника

Аннотация

Основы технологии кремниевых интегральных схем: окисление, диффузия, эпитаксия Год выпуска : 1969 Автор : Бургер Р., Донован Р. Издательство : Мир Количество страниц : 227 Описание : Книга посвящена процессам окисления, диффузии и эпитаксии кремния. По существу изложенный материал охватывает основные процессы планарной технологии — наиболее универсальной современной технологии, позволяющей производить любые полупроводниковые приборы от простейшего диода до сложнейших интегральных субсистем. Использованы малоизвестные или не публиковавшиеся ранее данные и сведения из отчетов фирм и докладов на конференциях. Приведено большое количество графиков и поясняющих схем. В первой части книги описаны свойства силикатных стекол, методы получения окисных пленок на кремнии, электрические свойства пленок окиси па поверхности кремния и МОП-структур и методы их измерения, использование кремниевых окисных пленок в интегральных твердых схемах. Во второй части изложена теория диффузии, приведены экспериментальные данные о диффузии в монокристаллах кремния, рассмотрены методы проведения диффузии. Третья часть посвящена вопросам эпитаксии, технике и методике эпитаксиального наращивания и обсуждению получаемых результатов. Книга полезна разработчикам и технологам полупроводниковых приборов, физикам, физико-химикам и химикам, изучающим явления в полупроводниковых устройствах, а также специалистам, применяющим интегральные схемы. Ее можно рекомендовать в качестве учебного пособия студентам вузов, изучающим физику и технологию полупроводников. скрытый текст