Зебрев Г.И. - Физические основы кремниевой наноэлектроники

Автор(ы)

Нанотехнологии

Год

2011

Издательство

БИНОМ. Лаборатория знаний

Язык

rus

ISBN

978-5-9963-0181-2

Библиографическая ссылка

М. : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2011. —240 с.

Теги

физика Электроника

Аннотация

Физические основы кремниевой наноэлектроники Год издания : 2011 Автор : Зебрев Г.И. Издательство : БИНОМ ISBN : 978-5-9963-0181-2 Серия : Нанотехнологии Язык : Русский Формат : DjVu Качество : Отсканированные страницы + слой распознанного текста Интерактивное оглавление : Да Количество страниц : 240 Описание : Книга посвящена описанию основных физических принципов, структур и методов моделирования, а также тенденций развития современной и перспективной кремниевой наноэлектроники с технологическими нормами менее 100 нм. Для преподавателей и студентов, специализирующихся по направлениям микро- и наноэлектроники, электроники, электронных измерительных систем. Может быть использована в учебном процессе при подготовке учебных курсов «Физические основы наноэлектроники», «Наноэлектронные технологии», «Физика микроэлектронных структур». Примеры страниц Оглавление Предисловие (3). Глава 1. Базисные физические уравнения (5). Глава 2. Особенности приборов КМОП-технологии (30). Глава 3. Структуры металл - окисел - полупроводник (54). Глава 4. Вольт-амперные характеристики МОПТ (85). Глава 5. Физические процессы в каналах МОПТ (105). Глава 6. Эффекты сильных электрических полей (129). Глава 7. Диффузионно-дрейфовая модель тока в МОПТ (143). Глава 8. Транзисторы технологии «кремний-на-изоляторе» (159). Глава 9. Моделирование транзисторов КНИ-технологий (174). Глава 10. Токи утечки в наноэлектронных структурах (188). Глава 11. Мезоскопические эффекты в наноэлектронных структурах (210). Литература (225). Приложения (233). Доп. информация : Скан, OCR, обработка, формат Djv: mor Опубликовано группой