Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники

Автор(ы)
Старосельский В.И
Год
2009
Издательство
Высшее образование; Юрайт-Издат
Серия
Высшее образование
Язык
rus
ISBN
978-5-9692-0261-0
Выходные данные
М. : Высшее образование; Юрайт-Издат, 2009. — 463 с.
Теги
Электроника Физика
Аннотация

Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники Год издания : 2009 Автор : Старосельский В.И. Жанр или тематика : Микроэлектроника Издательство : М.: Высшее образование, Юрайт ISBN : 978-5-9692-0261-0 Серия : Основы наук Язык : Русский Формат : DjVu Качество : Отсканированные страницы + слой распознанного текста Интерактивное оглавление : Да Количество страниц : 465 Описание : Рассмотрены базовые полупроводниковые приборы современной микроэлектроники и физические процессы, обеспечивающие их работу. Анализируются статические, частотные и импульсные характеристики приборов, рассматриваются методы схемотехнического моделирования приборов и приводятся их эквивалентные схемы. Рассмотрены предельные параметры современных приборов микроэлектроники (SOI MIS, HEMT, HBT). Для каждого прибора делается краткий обзор современных методов их структурной реализации в интегральных схемах. Для студентов обучающихся по направлению 210100 "Электроника и микроэлектроника" и по инженерным специальностям 210104.65 "Микроэлектроника и твердотельная электроника", 210108.65 "Микросистемная техника", 010803.65 "Микроэлектроника и полупроводниковые приборы", 210601.65 "Нанотехнологии в электронике". Материал книги может быть полезен также научным работникам, инженерам и аспирантам, стремящимся получить необходимые профессиональные знания. Скриншоты (примеры страниц) Оглавление Предисловие редактора Ю. А. Парменова 11 Глава I. Основные сведения из физики полупроводников .... 13 1.1. Элементы зонной теории 13 1.2. Собственные и примесные полупроводники 18 1.3. Концентрации электронов и дырок 19 1.3.1. Равновесное состояние 19 1.3.2. Неравновесное состояние 27 1.3.3. Уровень инжекции 29 1.4. Кинетика носителей заряда 29 1.5. Рекомбинация и генерация носителей заряда 33 1.5.1. Механизмы рекомбинации—генерации 33 1.5.2. Прямая межзонная рекомбинация 34 1.5.3. Ловушечная рекомбинация 35 1.5.4. Ударная рекомбинация 36 1.5.5. Поверхностная рекомбинация 36 1.5.6. Превалирующие механизмы рекомбинации 37 1.6. Общий подход к анализу полупроводниковых приборов 38 1.7. Уравнения непрерывности 39 Литература „ 44 Глава П. р-п переходы и полупроводниковые диоды 45 II. 1. Понятие о ρ -η переходе .-. 45 И.1.1. Определение и классификация ρ -η переходов 45 И.1.2. Структура р-п перехода 48 Основные выводы 50 П.2. Равновесное состояние р-п перехода 51 П.2.1. Энергетическая диаграмма р-п перехода 51 Н.2.2. Токи через р-п переход в равновесном состоянии .... 53 И.2.3. Методика определения параметров ρ -η перехода 57 И.2.4. Расчет параметров ступенчатого р-п перехода 60 П.2.5. Переход с линейным распределением примеси 62 И.2.6. Диффузионные р-п переходы 65 Основные выводы 67 ΙΙ.3. Неравновесное состояние ρ -η перехода 69 И.3.1. Прямое и обратное включение р-п перехода 69 П.3.2. Энергетические диаграммы неравновесного р-п перехода 69 П.3.3. Граничные условия и уровень инжекций 71 П.3.4. Ширина р-п перехода 74 Осно

Как сослаться (ГОСТ Р 7.0.5-2008)
В списке литературы
Старосельский В. И. Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники. — М. : Высшее образование; Юрайт-Издат, 2009. — 463 с.
В тексте
(Старосельский В. И. Физика полупроводниковых приборов микроэлектроники. М. : Высшее образование; Юрайт-Издат, 2009. 463 с.)
Читать онлайн
Поиск по тексту издания
Другие тома серии «Высшее образование»