Смирнова Т.П. (ред.) - Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники

Автор(ы)

Интеграционные проекты СО РАН, вып. 37

Год

2013

Издательство

Издательство СО РАН

Язык

rus

Библиографическая ссылка

Новосибирск: Издательство СО РАН, 2013. – 176 с.

Теги

физика Химия Электроника

Аннотация

Фундаментальные основы процессов химического осаждения пленок и структур для наноэлектроники Год издания : 2013 Автор : Смирнова Т.П. (ред.) Издательство : СО РАН ISBN : 978-5-7692-1272-7 Серия : Интеграционные проекты СО РАН; вып. 37 Язык : Русский Формат : PDF Качество : Издательский макет или текст (eBook) Количество страниц : 176 Описание : В монографии представлены результаты развития процессов химического осаждения из газовой фазы металлических и диэлектрических пленок с использованием нетрадиционных летучих исходных соединений, а именно, комплексных соединений металлов и кремнийорганических соединений, синтезируемых в ИНХ СО РАН и ИрИХ СО РАН. Рассматриваются результаты исследования физико-химических свойств исходных соединений. Изложены принципы выбора исходных соединений, основанные на исследовании их термодинамических свойств и термодинамическом моделировании MO CVD процессов. Получены и исследованы наиболее важные для современной электроники и наноэлектроники материалы: металлические пленки (Cu, Ni, Ru, Ir), диэлектрические пленки с высоким (high-k) и низким (low-k) значением диэлектрической проницаемости. Изучены химический, фазовый состав и структура простых и сложных оксидов на основе HfO2 (high-k диэлектрики), а также карбонитридов бора, карбонитридов и оксикарбонитридов кремния (low-k диэлектрики). Книга адресуется студентам, аспирантам, инженерам и научным сотрудникам, занимающимся химией твердого тела, микроэлектроникой и технологией материалов электронной техники. Примеры страниц Опубликовано группой