Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. - Электронные свойства легированных полупроводников

Автор(ы)

Физика полупроводников и полупроводниковых приборов

Год

1979

Язык

rus

Теги

физика Электроника

Аннотация

Электронные свойства легированных полупроводников Год : 1979 Автор : Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Жанр : Учебная литература Издательство : Наука Серия : Физика полупроводников и полупроводниковых приборов Язык : Русский Формат : DjVu Качество : Отсканированные страницы Количество страниц : 416 Описание : В книге рассматриваются физические явления в легированных полупроводниках, для описания которых необходимо учитывать, что электроны находятся в хаотическом поле доноров и акцепторов. К этим явлениям относятся андерсоновская локализация электронов, прыжковая проводимость, переход от металлической проводимости к активационной при изменении степени легирования и компенсации, оптические явления, связанные с хвостами плотности состояний. Современный подход к указанным проблемам в значительной мере основан на теории протекания. В книге дается первый в монографической литературе обзор этой новой математической дисциплины. Детально обсуждается основанный на теории протекания метод вычисления электропроводности сильно неоднородных сред. Систематически излагается теория прыжковой проводимости, построенная с помощью этого метода. Большое внимание уделяется сопоставлению ее результатов с экспериментом. Обсуждаются нерешенные проблемы теории. Примеры страниц Оглавление Часть I. Слаболегированные полупроводники. Глава 1. Структура одиночных примесных состояний. Глава 2. Локализация электронных состояний. Глава 3. Структура примесной зоны слоболегированных полупроводников. Глава 4. Общее представление о прыжковой электропроводности слаболегированных полупроводников. Глава 5. Теория протекания. Глава 6. Зависимость прыжковой проводимости от концентрации примесей и деформации кристалла. Глава 7. Прыжковая проводимость в магнитном поле. Глава 8. Энергия активации прыжковой проводимости. Глава 9. Прыжковая проводимость с переменной длиной прыжка. Глава 10. Влияние корреляционных эффектов на плотность состояний и прыжковую проводимость. Часть II. Сильнолегированные полупроводники. Глава 11. Состояние электронов в сильнолегированных полупроводниках. Глава 12. Глубокий хвост плотности состояний и межзонное поглощение света. Глава 13. Теория сильнолегированных и сильнокомпенсированных полупроводников. Доп. информация : Труд является монографией