Технология полупроводникового кремния
- Автор(ы)
- Фалькевич Э.С, Пульнер Э.О, Червоный И.Ф
- Год
- 1992
- Издательство
- Металлургия
- ISBN
- 5-229-00740-0
- Выходные данные
- М. : Металлургия, 1992. — 408 с.
- Теги
- Электроника Физика Химия Металлургия
Аннотация
Технология полупроводникового кремния Год выпуска : 1992 Автор : Фалькевич Э.С, Пульнер Э.О., Червоный И.Ф Жанр : Профессиональный справочник Издательство : Металлургия ISBN : 5-229-00740-0 Формат : DjVu Язык : Русский Качество : Отсканированные страницы Количество страниц : 408 Описание : Изложены физико-химические основы технологии полупроводникового кремния, рассмотрены свойства технологических материалов, влияние структурных несовершенств и термической обработки на электрофизические и физико-химические свойства кремния. Описаны процессы получения кремния и оборудование, в том числе вакуумное и криогенное. Рассмотрены способы получения кремния с заранее заданными свойствами, приведены области его применения. Значительное внимание уделено контролю качества продукции, технике безопасности в кремниевом производстве. Доп. информация : Рецензент: проф. докт. хим. наук В.Б. Уфимцев. Взято здесь Скриншоты
Как сослаться (ГОСТ Р 7.0.5-2008)
- В списке литературы
- Фалькевич Э. С., Пульнер Э. О., Червоный И. Ф. Технология полупроводникового кремния. — М. : Металлургия, 1992. — 408 с.
- В тексте
- (Фалькевич Э. С., Пульнер Э. О., Червоный И. Ф. Технология полупроводникового кремния. М. : Металлургия, 1992. 408 с.)