Электронные явления переноса в полупроводниках

Автор(ы)

Аскеров Б.М

Год

1985

Язык

rus

Теги

Электроника

Аннотация

Электронные явления переноса в полупроводниках. Год выпуска : 1985 Автор : Аскеров Б.М. Жанр : Учебное пособие Язык : Русский Издательство : Наука ISBN : Нет Формат : DjVu Качество : Отсканированные страницы Количество страниц : 320 Описание : Посвящена систематическому п подробному изложению линейной теории стационарных электронных явлений переноса в полупроводниках. Излагаются как классическая, так и квантовая теории гальвано- и термомагнитных эффектов. Рассмотрены различные реальные модели зон: произвольная изотропная и анизотропная непараболическая зоны, а также зона типа дырочного германия. Учтено увлечение носителей тока фононами в произвольном неквантующем магнитном поле. Большое место занимает теория рассеяния носителей. Отдельная глава посвящена размерным эффектам в пленках. Доп. информация : Для научных работников, инженеров и аспирантов, занимающихся исследованием полупроводников, а также студентов старших курсов физических и инженерно-физических специальностей. Из предисловия : Кинетические свойства, как известно, лежат в основе многих технических применений полупроводников. Кроме того, эти свойства чувствительны к законам дисперсии носителей тока и к природе взаимодействия носителей с различными дефектами кристаллической решетки. Поэтому многие традиционные методы изучения полупроводниковых веществ основываются на исследовании различных кинетических эффектов. Они становятся особенно эффективными в некоторых экстремальных условиях: при низких температурах, в сильных магнитных полях, в полупроводниках с сильно непараболической зоной и т. д. Хорошие и надежные результаты получаются тогда, когда исследование проводится комплексно и учитываются выводы теории электронных явлений переноса. Однако в существующих изданиях теория кинетических эффектов излагается в пределах одной — двух глав. Настоящая книга посвящена систематическому и подробному изложению линейной теории стационарных электронных явлений переноса в полупроводниках. Излагаются как классическая, так и квантовая теории гальвано- и термомагнитных явлений. Рассмотрены произвольная изотропная и анизотропная непараболическая зоны, а также зона типа дырочного германия. Учтено увлечение носителей заряда фононами в произвольном неквавтую-щем магнитном поле. Подробно изложена теория рассеяния, где учитывается и влияние блоховских амплитуд. Основную часть книги составляют три важных раздела: статистика носителей тока в полупроводниках, классическая теория и квантовая теория электронных явлений переноса. Скриншоты Опубликовано группой