Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников.

Автор(ы)

Бару В.Г, Волькенштейн Ф.Ф

Год

1978

Язык

rus

Теги

физика Химия Электроника

Аннотация

Влияние облучения на поверхностные свойства полупроводников. Год выпуска : 1978 Автор : Бару В.Г., Волькенштейн Ф.Ф. Жанр : Физика твердого тела Язык : Русский Издательство : Наука ISBN : Нет Формат : DjVu Качество : Отсканированные страницы Количество страниц : 288 Описание : В книге рассматривается влияние облучения (как электромагнитного, так и корпускулярного) на адсорбционные и каталитические свойства полупроводников. Дается сжатая сводка экспериментального материала, затем развивается теория явления и, наконец, проводится сравнение теории с экспериментом. Книга в основном имеет оригинальный характер, отражая результаты работ авторов и их сотрудников. Теория фотоадсорбционного и фотокаталитического эффектов строится на фундаменте современной электронной теории катализа. Книга имеет целью раскрыть, в той или иной степени, механизм явления. Из предисловия : Прежде всего необходимо расшифровать название этой книги. Говоря об облучении, мы имеем в виду как электромагнитное облучение (видимый и ультрафиолетовый свет, рентгеновские и гамма-лучи), так и корпускулярное облучение (бомбардировка поверхности электронами, протонами, альфа-частицами, нейтронами). Говоря о поверхностных свойствах, мы имеем в виду адсорбционные и каталитические свойства полупроводника. Речь идет об изменении адсорбционной способности, каталитической активности и селективности катализатора под действием облучения. Книга носит в основном теоретический характер. Ее цель — раскрыть механизм действия облучения на адсорбционные и каталитические свойства полупроводника. В I и II частях книги исследуется изменение поверхностных свойств полупроводника под влиянием электромагнитного облучения, которое нарушает электронное равновесие в образце. В III части в рассмотрение включается корпускулярное и жесткое электромагнитное (например, гамма-кванты) облучение, которое, наряду с нарушением электронного равновесия, вызывает повреждение кристаллической решетки полупроводника. Механизм изменения физико-химических свойств поверхности полупроводника анализируется в книге на базе современной электронной теории хемосорбции и катализа, которая является единственным существующим в настоящее время фундаментом, способным служить этой цели. Скриншоты Опубликовано группой