Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках
- Автор(ы)
- Вавилов В.С, Кив А.Е, Ниязова О.Р
- Год
- 1981
- Язык
- rus
- Теги
- Электроника Физика
Аннотация
Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. Год выпуска : 1981 Автор : Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Жанр : Учебное пособие Язык : Русский Издательство : Наука ISBN : Нет Формат : DjVu Качество : Отсканированные страницы Количество страниц : 368 Описание : В книге описаны результаты экспериментального изучения процессов образования радиационных дефектов в полупроводниках и диэлектриках, способы получения информации о микромеханизмах атомных смещений в неметаллических кристаллах. Экспериментальные данные обсуждаются на основе принятых теоретических моделей радиационного дефектообразования. Особое внимание уделяется процессам возникновения дефектов при сравнительно небольших энергиях воздействующей радиации. Приводится обзор современных данных о диффузионно-контролируемых реакциях в полупроводниках. Показано, что эти данные могут быть согласованы благодаря единому подходу к процессам возникновения и миграции дефектов в полупроводниках. Из предисловия : С возникновением и развитием физики радиационных воздействий на полупроводники открылись новые возможности изучения свойств дефектов и механизмов их образования. До шестидесятых годов в основном происходило накопление результатов, связанных с радиационными изменениями макроскопических характеристик твердых тел. В последующем были разработаны методики и подходы, позволившие получать разностороннюю, а в ряде случаев однозначную информацию о характере элементарного акта дефектообразования. Важную роль здесь сыграли исследования спектров ЭПР и ЯМР, прямые электронно-микроскопические наблюдения, кинетические исследования, использование эффекта Мёссбауэра. К настоящему времени сложились общепринятые представления о первичных процессах радиационного дефектообразования и вторичных квазихимических реакциях, приводящих к появлению относительно устойчивых комплексов. Эти представления носят достаточно общий характер и могут быть приведены в систему. Оглавление Скриншоты Опубликовано группой
Как сослаться (ГОСТ Р 7.0.5-2008)
- В списке литературы
- Вавилов В. С., Кив А. Е., Ниязова О. Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. — 1981.
- В тексте
- (Вавилов В. С., Кив А. Е., Ниязова О. Р. Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. 1981)