Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках.

Автор(ы)

Вавилов В.С, Кив А.Е, Ниязова О.Р

Год

1981

Язык

rus

Теги

физика Электроника

Аннотация

Механизмы образования и миграции дефектов в полупроводниках. Год выпуска : 1981 Автор : Вавилов В.С., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Жанр : Учебное пособие Язык : Русский Издательство : Наука ISBN : Нет Формат : DjVu Качество : Отсканированные страницы Количество страниц : 368 Описание : В книге описаны результаты экспериментального изучения процессов образования радиационных дефектов в полупроводниках и диэлектриках, способы получения информации о микромеханизмах атомных смещений в неметаллических кристаллах. Экспериментальные данные обсуждаются на основе принятых теоретических моделей радиационного дефектообразования. Особое внимание уделяется процессам возникновения дефектов при сравнительно небольших энергиях воздействующей радиации. Приводится обзор современных данных о диффузионно-контролируемых реакциях в полупроводниках. Показано, что эти данные могут быть согласованы благодаря единому подходу к процессам возникновения и миграции дефектов в полупроводниках. Из предисловия : С возникновением и развитием физики радиационных воздействий на полупроводники открылись новые возможности изучения свойств дефектов и механизмов их образования. До шестидесятых годов в основном происходило накопление результатов, связанных с радиационными изменениями макроскопических характеристик твердых тел. В последующем были разработаны методики и подходы, позволившие получать разностороннюю, а в ряде случаев однозначную информацию о характере элементарного акта дефектообразования. Важную роль здесь сыграли исследования спектров ЭПР и ЯМР, прямые электронно-микроскопические наблюдения, кинетические исследования, использование эффекта Мёссбауэра. К настоящему времени сложились общепринятые представления о первичных процессах радиационного дефектообразования и вторичных квазихимических реакциях, приводящих к появлению относительно устойчивых комплексов. Эти представления носят достаточно общий характер и могут быть приведены в систему. Оглавление Скриншоты Опубликовано группой