Самоорганизация в полупроводниках. Неравновесные фазовые переходы в полупроводниках, обусловленные генерационно-рекомбинационными процессами

Автор(ы)
Шёлль Э
Год
1991
Издательство
Мир
Язык
rus
Выходные данные
М. : Мир, 1991. — 464 с.
Теги
Электроника Физика
Аннотация

Самоорганизация в полупроводниках. Неравновесные фазовые переходы в полупроводниках, обусловленные генерационно-рекомбинационными процессами Год издания : 1991 Автор : Шёлль Э. Переводчик : Астров Ю.Н., Калинин Б.Н., Самсонов А.М., Субашиев А.В., Ашкиназе Б.М. Издательство : М.: Мир ISBN : 5-03-001894-8 Язык : Русский Формат : DjVu Качество : Отсканированные страницы Количество страниц : 464 Описание : Книга ученого из ФРГ содержит систематическое изложение актуальных вопросов динамики нелинейных систем, неравновесных фазовых переходов и возникновения детерминированного хаоса в приложении к физике полупроводников. Сделана попытка связать физику полупроводников с теорией линейных механических систем, далеких от термодинамического равновесия. Рассматриваются токовые пространственно-временные неустойчивости и структуры, автоколебания, проводится сравнение теории с результатами экспериментальных исследований синергетических явлений в полупроводниках. Для студентов, аспирантов и широкого круга физиков, интересующихся нелинейными явлениями полупроводниках. Примеры страниц Доп. информация : Перевод издания Schöll E. Nonequilibrium Phase Transitions in Semiconductors: Self-Organization Induced by Generation and Recombination Processes

Как сослаться (ГОСТ Р 7.0.5-2008)
В списке литературы
Шёлль Э. Самоорганизация в полупроводниках. Неравновесные фазовые переходы в полупроводниках, обусловленные генерационно-рекомбинационными процессами. — М. : Мир, 1991. — 464 с.
В тексте
(Шёлль Э. Самоорганизация в полупроводниках. Неравновесные фазовые переходы в полупроводниках, обусловленные генерационно-рекомбинационными процессами. М. : Мир, 1991. 464 с.)
Поиск по тексту издания