Проектирование и технология производства мощных СВЧ-транзисторов
- Автор(ы)
- Никишин В.И, Петров Б.К, Сыноров В.Ф, Горохов В.С, Бачурин В.В, Асессоров В.В
- Год
- 1989
- ISBN
- 5-256-00238-4
- Теги
- Электроника
Аннотация
Среди многообразных направлений современной полупровод- никовой электроники важное место занимает разработка и произ- водство кремниевых транзисторов, предназначенных для работы в диапазоне частот от сотен мегагерц до нескольких гигагерц при высоких уровнях мощности (десятки и сотни ватт). Этот класс приборов получил название мощных СВЧ-транзисторов. Область применения таких транзисторов в специальной радиоаппаратуре весьма широка: они используются в предоконечных и выходных каскадах усилителей мощности приемопередающих устройств раз- личных средств связи, в системах телевизионного приема, в косми- ческой телеметрии, в фазированных антенных решетках и в других устройствах. Начало работ по созданию мощных СВЧ-транзисторов относит- ся к середине 60-х годов. Появление в 1965 г. в США первого се- рийного биполярного транзистора 2Ы3375 фирмы КСА с выход- ной мощностью 3 Вт на частоте 400 МГц послужило стимулом для быстрого развития работ в этом направлении. В последующие го- ды за рубежом и в СССР были разработаны и освоены в произ- водстве более перспективные типы СВЧ-транзисторов, специально предназначенные для работы в условиях значительного рассогла- сования нагрузки, широкополосные (в том числе и балансные) с элементами внутреннего согласования, импульсные, особенностью применения которых является достижение более высокого уровня импульсной выходной мощности (до 1000 Вт и более) при боль- ших значениях коллекторного напряжения, линейные для исполь- зования в режиме А с приемлемыми значениями коэффициента интермодуляционных искажений. Уровень достигнутых к настоящему времени значений парамет- ров мощных биполярных СВЧ-транзисторов достаточно высок. Например, для приборов, работающих в непрерывном режиме при напряжении питания 28 В, значения выходной мощности состав- ляют: 125... 150 Вт на частоте 400 МГц, 100 Вт на частоте 1 ГГц и свыше 40 Вт на частоте 2 ГГц. Импульсные СВЧ-транзисторы от- дают выходную мощность до 800 Вт на частоте 1 ГГц при напря- жении питания 50
Как сослаться (ГОСТ Р 7.0.5-2008)
- В списке литературы
- Проектирование и технология производства мощных СВЧ-транзисторов / В. И. Никишин [и др.]. — 1989.
- В тексте
- (Проектирование и технология производства мощных СВЧ-транзисторов / В. И. Никишин [и др.]. 1989)