Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур
- Автор(ы)
- Корольков В.И, Рахимов Н
- Год
- 1986
- Издательство
- Фан
- Выходные данные
- Ташкент : Фан, 1986. — 152 с.
- Теги
- Электроника
Аннотация
В монографии рассмотрены принцилы действия и перспективы применения широкозонных полупроводниковых материалов типа АЗВЗ в силовых диодах, тран- зисторах и тиристорах. Изложены физнческие основы и конструктивные особенно- CTH транзисторов на основе гетеропереходов. Приведены результаты исследования диодов, транзисторов и тиристоров на базе нового принцила действия, основанно- го на электронно-фотонном переносе неравновесных носителей заряда.
Как сослаться (ГОСТ Р 7.0.5-2008)
- В списке литературы
- Корольков В. И., Рахимов Н. Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур. — Ташкент : Фан, 1986. — 152 с.
- В тексте
- (Корольков В. И., Рахимов Н. Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур. Ташкент : Фан, 1986. 152 с.)