Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов

Автор(ы)

Лозовский В.Н, Лунин Л.С, Попов В.П

Год

1987

Язык

rus

Теги

Металлургия физика Химия Электроника

Аннотация

Зонная перекристаллизация градиентом температуры полупроводниковых материалов Год издания : 1987 Автор : Лозовский В.Н., Лунин Л.С., Попов В.П. Издательство : М.:Металлургия Язык : Русский Формат : DjVu Качество : Отсканированные страницы + слой распознанного текста Количество страниц : 232 Описание : Обобщены основные закономерности процесса, включающие кинетику и стабильность, перераспределение компонентов и совершенство кристаллической структуры выращиваемого материала. Проанализированы и сопоставлены с теорией экспериментальные результаты зонной перекристаллизации градиентом температуры кремния, германия, соединений типа А3В5 и других полупроводниковых материалов. Описаны аппаратура и методика проведения процесса как в лабораторных, так и в промышленных условиях. Рассмотрены возможности применения метода для физико-химических исследований и в электронике для формирования полупроводниковых структур на поверхности и в объеме кристалла. Книга предназначена для научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области физики, технологии полупроводниковых материалов и приборов. Примеры страниц