Схемотехника усилительных устройств (Специальность)
- Автор(ы)
- Перепёлкин Д.А
- Год
- 2014
- Издание
- 2-е издание, переработанное
- ISBN
- 978-5-9912-0456-9
- Теги
- Электроника Металлургия
Аннотация
Биполярный транзистор (БТ) — это полупроводниковый прибор, состоящий из двух электронно-дырочных (р-n)-переходов, выполненных в одном кри- сталле. В транзисторе имеется три об- П1 П2 ласти: ° эмиттерная; ° базовая; ° коллекторная и соответственно три вывода (электрода): эмиттер, база, Б коллектор. Переход, который образуется на границе эмиттер-база, называется эмиттерным (П~), а на границе база- коллектор — коллекторным (П2). Проводимость базы может быть как дырочной, так и электронной, П~ П2 Б соответственно различают транзи- пi, pi сторы со структурами и-р-и и р-п-р. На рис. 1.1 приведены структуры биполярных транзисторов. Принцип работы транзисторов обоих типов одинаков. Рис. 1.1. Структуры биполярных транзисторов 1 Б Рис. 1.2. Обозначение биполярных транзисторов на схемах: а — и-р-п-; б — р-и-р-типа Различие состоит в том, что в транзисторах со структурой и-р-и ток, теку- щий через базу, создают электроны, инжектированные эмиттером в базу, а в транзисторах р-и-р этот ток создают дырки. Обозначение биполярных транзисторов на принципиальных электрических схемах приведено на рис. 1.2. К К Д.А. Переиелкин В усилительном режиме работы транзистора эмиттерный переход смещен в прямом направлении, а коллекторный переход — в обратном. В транзисторе осуществляется взаимное влияние переходов друг на друга. Для эффективного воздействия эмиттерного перехода на коллекторный переход необходимо выполнение следующих основных требований: 1. Толщина базы транзистора должна быть много меньше диффузионной длины пробега инжектируемых в нее носителей: Lp &g ;& t dq =1 5 ..2 2. База должна иметь концентрацию основных носителей много меньше концентрации основных носителей в области эмиттера. 3. Площадь коллекторного перехода должна быть в несколько раз больше площади эмиттерного перехода. По технологии изготовления различают: ° сплавные транзисторы; ° диффузионные (планарные) транзисторы; ° комбинированные транзисторы (диффузионно-сплавные или планарно- сплавные). 1.1. ПРИНЦИ
Как сослаться (ГОСТ Р 7.0.5-2008)
- В списке литературы
- Перепёлкин Д. А. Схемотехника усилительных устройств (Специальность). — 2-е изд., перераб. — 2014.
- В тексте
- (Перепёлкин Д. А. Схемотехника усилительных устройств (Специальность). 2-е изд., перераб. 2014)