Физические процессы в полупроводниковых импульсных лазерах с накачкой электронными пучками

Автор(ы)

Крюкова И.В

Год

2009

Язык

rus

ISBN

978-5-7038-3251-6

Теги

Электроника

Аннотация

Физические процессы в полупроводниковых импульсных лазерах с накачкой электронными пучками Год издания : 2009 Автор : Крюкова И.В. Жанр или тематика : Монография Издательство : МГТУ им. Н. Э. Баумана ISBN : 978-5-7038-3251-6 Язык : Русский Формат : PDF Качество : Отсканированные страницы + слой распознанного текста Интерактивное оглавление : Нет Количество страниц : 446 Описание : Приведены результаты исследований рекомбинационных и радиационных явлений в полупроводниковых лазерах с накачкой импульсными пучками электронов с энергией ниже и выше порога дефектообразования. В отличие от инжекционных в этих лазерах возбуждаются большие объемы активной среды. Это позволило исследовать все возможные типы лазерных переходов, используя материалы с различными свойствами, в том числе недоступные для инжекционных лазеров, обнаружить новые явления, создать мощные лазеры, конкурирующие с твердотельными. Рассмотрены известные соединения АIIIВV и АIIВVI, а также новые трех- и четырехкомпонентные "идеальные" твердые растворы. В условиях интенсивного возбуждения обнаружено новое явление - атермический импульсный отжиг, в результате которого улучшаются объемные и поверхностные свойства активных сред. Описаны деградационные явления и спектрально-временные характеристики излучения с разрешением до 10-11 с. Рассмотрены возможные физические модели этих явлений. Материалы монографии автор использует при чтении лекций в МГТУ им. Н.Э. Баумана. Изложенный в книге материал ранее в других монографиях не обсуждался. Для студентов старших курсов, аспирантов, научных сотрудников, работающих в области квантовой электроники. Примеры страниц Оглавление Глава 1. Некоторые вопросы теории генерации когерентного излучения в полупроводниках и пространственное распределение плотности возбуждения. Методики возбуждения 1.1. Процессы рекомбинации неравновесных носителей в прямозонных полупроводниках 1.2. Некоторые вопросы теории генерации лазерного излучения в полупроводниках 1.3. Расчет коэффициента усиления 1.4. Пространственное распределение плотности возбуждения 1.5. Методики возбуждения полупроводниковых лазеров импульсными электронными пучками Глава 2. Механизмы излучательной рекомбинации и лазерной генерации в активных средах на основе соединений AIIIBV и AIIBVI 2.1. Природа переходов и получение эффективной генерации в лазерах на GaAs 2.2. Спонтанное и стимулированное излучение в кристаллах GaSb и InAs и роль Оже-рекомбинации 2.3. Катодолюминесценция и лазерный эффект в легированных кристаллах CdS 2.4. Лазерное излучение электронно-дырочной плазмы в особо чистых нелегированных кристаллах Глава 3. Катодолюминесценция и лазерный эффект в изопериодических трех- и четырехкомпонентных твердых растворах соединений AIIIBV 3.1. Влияние примесных уровней под непрямыми долинами на люминесценцию в GaAlAs и GaAlSb. Зонное строение и аномальный рост люминесценции в GaAlSb 3.2. Катодолюминесценция и лазерный эффект в четырехкомпонентных твердых растворах GaInAsP, GaInAsSb, InA