Основы теории транзисторов и транзисторных схем (изд. 4-е)

Автор(ы)

Степаненко И. П

Год

1977

Язык

rus

Теги

Электроника

Аннотация

Основы теории транзисторов и транзисторных схем Год : 1977 Автор : Степаненко И. П. Жанр : Электроника Издательство : М.: Энергия Язык : Русский Формат : DjVu Качество : Отсканированные страницы Количество страниц : 671 Описание : В книге проводятся анализ и расчет основных типов транзисторных усилителей, импульсных схем и источников питания. Анализу схем предшествует рассмотрение физических процессов в полупроводниковых диодах и транзисторах и характеристик диодов и транзисторов в качестве схемных элементов. Существенно переработана по сравнению с третьим изданием, вышедшим в 1973 г., первая часть книги, во вторую и третью части введены новые главы. Книга предназначена для инженеров, аспирантов и студентов вузов, специализирующихся по микроэлектронике и прикладной электронике, вычислительной технике, автоматике и приборостроению. Примеры страниц Оглавление Предисловие к четвертому изданию ТРАНЗИСТОРЫ Глава первая. Полупроводники 1-1. Введение 1-2. Структура полупроводников и типы проводимости 1-3. Энергетические зоны твердого тела 1-4. Зонная структура полупроводников 1-5. Законы распределения носителей в зонах полупроводника 1-6. Уровень Ферми 1-7. Концентрация носителей 1-8. Подвижность носителей 1-9. Удельная проводимость и удельное сопротивление 1-10. Рекомбинация носителей Общие сведения (44). Равновесное состояние (47). Неравновесное состояние (50). Рекомбинация на ловушках (51). Время жизни (54). Поверхностная рекомбинация (57). 1-11. Законы движения носителей заряда в полупроводниках 1-12. Объемные заряды и поля в полупроводниках Диэлектрическая релаксация (631. Эффект поля (66). Неоднородные полупроводники (71). Квазинейтральность (74). 1-13. Кинетика носителей заряда в полупроводниках Биполярная диффузия (75). Дрейф (78). Монополярная диф¬фузия (79). Комбинированное движение (85). Глава вторая. Полупроводниковые диоды 2-1. Введение 2-2. Электронно-дырочный переход Классификация р-п переходов (88). Структура р-п перехода (90). Анализ перехода в равновесном состоянии (93). Анализ перехода в неравновесном состоянии (97). Плавные р-п переходы (102). Односторонние р-п переходы (104). 2-3. Специальные типы переходов Переходы между примесными и собственными полупроводниками (105). Переходы между однотипными полупроводниками (106). 2-4. Контакты металл-полупроводник Выпрямляющие контакты (108). Невыпрямляющие (омические) . контакты (110). 2-5. Анализ идеализированного диода Исходные предпосылки (113). Решение диффузионного уравнения (115). Вольтамперная характеристика (117). Характеристические сопротивления (119). Температура перехода (121). 2-6. Обратная характеристика реального диода Тепловой ток (123). Ток термогенерации (124). Поверхностные каналы (126). Ток утечки (128). Эквивалентная схема диода.при обратном смещении (128). 2-7. Пробой перехода Туннельный пробой (129). Лавинный пробой (131). Тепловой пробой (133). 2-8. Прямая характеристика реального диода Ток рекомбинации (134). Сопротивление базы (135). Зависимо