Моделирование 3D наносхемотехники
- Автор(ы)
- Трубочкина Н.К
- Год
- 2015
- Издательство
- БИНОМ. Лаборатория знаний
- Издание
- 2-е издание
- Язык
- rus
- ISBN
- 978-5-9963-2633-4
- Библиографическая ссылка
- М. : БИНОМ. Лаборатория знаний, 2012. — 499 с.
- Теги
- История Электроника
Аннотация
Моделирование 3D наносхемотехники Год издания : 2015 Автор : Трубочкина Надежда Константиновна Жанр : монография Издательство : М.: «БИНОМ. Лаборатория знаний» ISBN : 978-5-9963-2633-4 Язык : русский Формат : PDF Качество : издательский макет или текст (eBook) Интерактивное оглавление : нет Количество страниц : 526 Описание : В книге представлены базовые понятия теории переходной схемотехники, необходимые для разработки новой элементной базы суперкомпьютеров различных типов. Теорию переходной схемотехники отличает новая компонентная концепция синтеза наноструктур, в которой минимальным компонентом для синтеза схем является не транзистор, а материал и переход (связь) между материалами. Приводятся данные экспериментального 2D и 3D моделирования физических и электрических процессов в кремниевых переходных наноструктурах с минимальным топологическим размером 10–20 нм и сравнительный анализ четырех типов схемотехник. Книга может быть рекомендована научным работникам, аспирантам и инженерам, специализирующимся в области разработки элементной базы суперкомпьютеров и альтернативных вычислительных систем, а также бакалаврам и магистрам, обучающимся по специальностям «Нанотехнология и микросистемная техника», «Электроника и наноэлектроника», «Вычислительные системы, комплексы и сети». Примеры страниц Оглавление Предисловие автора Введение Глава 1. Основные этапы развития элементной базы ЭВМ 1.1. Элементная база и поколения ЭВМ 1.2. Историческая справка создания вычислительных устройств 1.3. Перспективы и проблемы развития элементной базы ЭВМ 1.3.1. Трехмерные СБИС 1.3.2. Изобретение, изменившее отношение к транзисторной схемотехнике 1.4. Компоненты транзисторной схемотехники 1.4.1. Назначение компонентов транзисторной схемотехники 1.4.2. Пример описания технологии создания интегральной структуры с помощью специальных операторов 1.5. Представление интегральных структур транзисторов как схем переходной схемотехники Глава 2. Обзор и анализ состояния элементной базы для наноиндустрии. Перспективы развития 2.1. Настоящее и будущее наноэлектроники 2.2. Поиск оптимального компонента 2.2.1. 3D транзистор 2.2.2. FinFET-транзистор 2.2.3. Пьезотранзистор 2.2.4. Полевой транзистор на основе графеновой наноленты 2.2.5. Полевой транзистор на основе графена 2.2.6. Органический светоизлучающий полевой транзистор 2.2.7. ДНК-транзистор 2.3. Поиск альтернативных макросхем 2.3.1. Создание наноструктуры с помощью ДНК 2.3.2. Нейроны и кремниевая электроника 2.3.3. Самособирающийся чип 2.3.4. Биочипы 2.4. Поиск альтернативного компьютера 2.4.1. Квантовый компьютер 2.4.2. Молекулярный биокомпьютер 2.5. Проблемы научного поиска новой элементной базы 2.6. Поиск оптимальной схемотехники для твердотельных СБИС 2.6.1. Концептуально новая схемотехника вычислительных 3D наносистем: переходная схемотехника Глава 3. Переходная 3D наносхемотехника — новая компонентная концепция и новое качество в создании трехмерных интегральных схем 3.1. Закон Мура достигает своего преде