Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников
- Автор(ы)
- Мильвидский М.Г, Освенский В.Б
- Год
- 1985
- Издательство
- Металлургия
- Язык
- rus
- Выходные данные
- М. : Металлургия, 1985. — 160 с.
- Теги
- Электроника Физика Металлургия
Аннотация
Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников Год издания : 1985 Автор : Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Издательство : М.: Металлургия Язык : Русский Формат : DjVu Качество : Отсканированные страницы + слой распознанного текста Количество страниц : 160 Описание : Рассмотрены общие закономерности дефектообразования в эпитаксиальных композициях полупроводников. Проанализированы природа и закономерности возникновения дефектов в гомо- и гетероэпитаксиальных системах. Обсуждены пути повышения совершенства структуры эпитаксиальных композиций, в том числе перспектива создания изопериодных гетерокомпозиций на основе многокомпонентных твердых растворов полупроводниковых соединений. На примере лазеров, светодиодов и других полупроводниковых приборов продемонстрировано влияние дефектов на эксплуатационные характеристики приборов. Книга рассчитана на научных и инженерно-технических работников, занятых в области технологии и физики полупроводниковых материалов и приборов, а также на аспирантов и студентов вузов старших курсов соответствующих специальностей. Примеры страниц
Как сослаться (ГОСТ Р 7.0.5-2008)
- В списке литературы
- Мильвидский М. Г., Освенский В. Б. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. — М. : Металлургия, 1985. — 160 с.
- В тексте
- (Мильвидский М. Г., Освенский В. Б. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. М. : Металлургия, 1985. 160 с.)