СВЧ транзисторы на широкозонных полупроводниках

Автор(ы)

Васильев А.Г, Колковский Ю.В, Концевой Ю.А

Год

2011

Язык

rus

Теги

физика Электроника

Аннотация

СВЧ транзисторы на широкозонных полупроводниках Год : 2011 Автор : Васильев А.Г., Колковский Ю.В., Концевой Ю.А. Жанр : Электроника Издательство : Техносфера ISBN : 978-5-94836-290-8 Язык : Русский Формат : PDF Качество : Отсканированные страницы Количество страниц : 256 Описание : Книга представляет собой учебное пособие по физическим основам и технологии транзисторов на широкозонных полупроводниках. Рассмотрены свойства двумерного электронного газа и физика гетеропереходов, в основном типа AlGaN/GaN. Дан обзор структур транзисторов на основе широкозонного полупроводника GaN. Рассмотрены структуры транзисторов на алмазе и карбиде кремния. Рассмотрены свойства подложек из сапфира, карбида кремния и других материалов, применяющихся для создания гетероструктур. Детально проанализированы методы изготовления гетеропереходов при использовании эпитаксии из металло-органических соединений и молекулярно-лучевой эпитаксии. Рассмотрены требования к омическим контактам и барьерам Шоттки, при использовании которых создаются гетероэпитаксиальные полевые транзисторы с высокой подвижностью электронов в канале (НЕМТ). Рассмотрена технология транзисторов на алмазе. Дан детальный обзор методов контроля технологических процессов, применяющихся при изготовлении транзисторов. Рассмотрены методы измерения основных параметров СВЧ транзисторов и методы контроля надежности транзисторов. Книга предназначена для студентов, обучающихся по профилю 210100 "Электроника и наноэлектроника". Книга будет полезна также магистрам, аспирантам, инженерам и научным работникам, специализирующимся в области разработки и применения изделий твердотельной электроники. Примеры страниц