Основы электронной и полупроводниковой техники

Автор(ы)

Виноградов Ю.В

Год

1968

Язык

rus

Теги

Виноградарство и виноделие Электроника Электротехника

Аннотация

Основы электронной и полупроводниковой техники Год издания : 1968 Автор : Виноградов Ю.В. Жанр или тематика : Электротехника Издательство : М.: Энергия Язык : Русский Формат : DjVu Качество : Отсканированные страницы + слой распознанного текста Количество страниц : 624 Описание : В книге изложены основы современной электроники. Даны сведения об устройстве и принципах действия основных типов полупроводниковых и электровакуумных приборов, способы их применения в схемах, методы анализа, расчета и проектирования электронных схем. Основное внимание уделяется полупроводниковым приборам и схемам на них. Книга предлагается в качестве учебника для студентов специальности математические и счетно-решающие приборы; и устройства. Она может быть полезна студентам других специальностей, а также инженерам, аспирантам и научным сотрудникам, работающим над созданием электронных схем. Примеры страниц Оглавление Предисловие ... 3 Введение ... 4 Глава первая. Основные понятия теории электропроводности полупроводников ... 9 1-1. Электропроводность твердого тела ... 9 1-2. Энергетические состояния электронов в атоме и твердом теле. Энергетические зоны ... 11 1-3. Собственная электропроводность полупроводников. Дырки ... 17 1-4. Распределение электронов по квантовым состояниям ... 20 1-5. Концентрация носителей заряда и положение уровня Ферми в собственном полупроводнике ... 23 1-6. Примесная электропроводность полупроводников ... 24 1-7. Энергетические уровни доноров и акцепторов ... 27 1-8. Зависимость электропроводности примесных полупроводников от температуры и концентрации примесей ... 31 1-9. Рекомбинация и время жизни носителей заряда. ... 34 1-10. Закономерности движения носителей заряда. Уравнения плотности токов ... 36 Глава вторая. Контактные явления в полупроводниках и физические элементы полупроводниковых приборов ... 38 2-1. Плоскостной электронно-дырочный переход ... 38 2-2. Эффект выпрямления в р-n-переходе ... 43 2-3. Вольт-амперная характеристика р-n-перехода ... 48 2-4. Пробой p-n-перехода ... 54 2-5. Емкости p-n-перехода ... 56 2-6. Другие типы p-n-переходов ... 58 Глава третья. Полупроводниковые диоды ... 61 3-1. Выпрямительные диоды ... 61 3-2. Высокочастотные и сверхвысокочастотные диоды ... 69 3-3. Импульсные диоды ... 71 3-4. Полупроводниковые стабилитроны ... 76 3-5. Туннельные диоды ... 79 Глава четвертая. Транзисторы ... 83 4-1. Основные процессы в плоскостном бездрейфовом транзисторе. Токи транзистора. Коэффициент передачи тока эмиттера ... 84 4-2. Дифференциальные сопротивления переходов и емкости транзистора ... 96 4-3. Способы включения и статические характеристики транзистора ... 100 4-4. Т-образные эквивалентные схемы транзистора для переменных составляющих сигнала ... 106 4-5. Зависимость параметров транзистора от режима работы, температуры и частоты ... 112 4-6. Дрейфовые транзисторы ... 122 4-7. Транзистор как линейный четырехполюсник ... 133 4-8. Работа транзистора с нагрузкой ... 141 4-9. Работа транзистора