Выращивание диэлектрических лазерных кристаллов

Автор(ы)

Арсеньев П.А. и др

Год

1986

Язык

rus

Теги

физика Химия Электроника

Аннотация

Выращивание диэлектрических лазерных кристаллов Год выпуска : 1986 Автор : П.А. Арсеньев, Х.С. Багдасаров, Х.М. Курбанов, В.В. Фенин. Жанр : монография Издательство : Дониш Формат : DjVu Качество : Отсканированные страницы Количество страниц : 248 Язык: русский Описание : В монографии рассматриваются методы выращивания лазерных диэлектрических кристаллов. Рассмотрение и систематизация методов ведётся с позиций, предъявляемых современной техникой к активным материалам твёрдотельных лазеров. Поэтому данную работу можно рассматривать как введение в материаловедение твёрдотельной квантовой электроники. С целью лучшей иллюстрации материала в работе приводятся основные сведения об использующихся в лазерной технике матрицах - кристаллах простых и сложных оксидов и фторидов. Рассмотрены методы выращивания из расплава, растворов и из газовой фазы объёмных кристаллов и плёнок. Приведены технологические схемы и режимы получения всех перспективных лазерных материалов. Особое внимание уделено как широко используемым в промышленности (методы Вернейла, Чохральского, Багдасарова), так и новым (оптическая зонная плавка, выращивание с лазерным нагревом, выращивание гарнисажным методом, получение лазерных плёнок жидкофазной эпитаксией и с помощью газотранспортных реакций). При рассмотрении каждого метода обсуждаются его технические характеристики и указывается круг материалов, который может быть этим методом получен. Книга предназначена для научных работников и инженеров, специализирующихся в области материаловедения электронной техники, физики и химии твёрдого тела, а также специалистов, занимающихся проблемой поиска новых высокотемпературных материалов. Она может быть полезна студентам старших курсов и аспирантам, специализирующимся в области материаловедения. Доп. информация : B/W, 200 dpi Примеры страниц: