Конструкции и технология микросхем

Автор(ы)

Матсон Э.А

Год

1985

Язык

rus

Теги

Электроника

Аннотация

Конструкции и технология микросхем Год : 1985 Автор : Матсон Э.А. Жанр : Электроника Издательство : Вышэйшая школа Язык : Русский Формат : DjVu Качество : Отсканированные страницы + слой распознанного текста Интерактивное оглавление : Да Количество страниц : 208 Описание : В справочнике наряду с освещением вопросов конструирования и технологии гибридных микросхем и микросборок (МСБ) значительное место уделено полупроводниковым ИМС, в том числе микропроцессорным большим интегральным схемам (БИС), а также матричным БИС на основе базовых кристаллов. Содержание пособия и последовательность изложения материала позволяют использовать его как для лучшего усвоения лекционного курса, так и при курсовом, а также дипломном проектировании. Этому способствует сжатый характер изложения, наличие примеров расчета и конструктивного исполнения, оформления конструкторской документации, а также таблиц и графиков с фактическими данными. В основу книги положены курсы лекций, читавшиеся автором в течение ряда лет в Минском радиотехническом институте студентам, обучающимся по специальностям «Конструирование и производство радиоаппаратуры» и «Конструирование и производство электронно-вычислительной аппаратуры». Примеры страниц Оглавление ОГЛАВЛЕНИЕ Предисловие Список сокращений Введение 1. Основы расчета элементов полупроводниковых ИМС и микропроцессоров 1.1. Характеристики основных материалов полупроводниковых ИМС 1.2. Расчет параметров р—n-переходов и контактов металл—полупроводник 1.3. Виды изоляции элементов полупроводниковых ИМС 1.4. Конденсаторы 1.5. Резисторы 1.6. Интегральные полевые транзисторы с р—n-переходом 1.7. Интегральные биполярные транзисторы и диоды 1.8. Интегральные полевые транзисторы типа МДП 2. Конструкции полупроводниковых микросхем и микропроцессоров и основы их разработки 2.1. Общие положения 2.2. Логические ИМС 2.3. Микросхемы запоминающих устройств 2.4. Аналоговые микросхемы 2.5. Микросхемы микропроцессоров 2.6. Методы разработки топологии 2.7. Разработка топологии МИС и СИС 2.8. Разработка топологии БИС и СБИС 2.9. Автоматизация конструирования полупроводниковых БИС и СБИС 3. Основы расчета элементов и конструкции, компонентов гибридных ИМС и МСБ 3.1. Материалы пленочных элементов 3.2. Пленочные резисторы 3.3. Пленочные конденсаторы 3.4. Распределенные RС-элементы 3.5. Пленочные индуктивности ПО 3.6. Компоненты ГИС и МСБ 4. Конструкции ГИС, БГИС, МСБ и основы их разработки 4.1. Общие характеристики 4.2. Подложки и платы 4.3. Типовые конструкции 4.4. Разработка топологии ГИС, БГИС и МСБ 4.5. Особенности конструкций СВЧ ГИС 5. Общие вопросы конструирования полупроводниковых и гибридных ИМС 5.1. Корпуса ИМС 5.2. Расчет тепловых режимов ИМС 5.3. Расчет параметров надежности ИМС 5.4. Технико-экономические показатели 5.5. Выполнение конструкторской документации 5.6. Система условных обозначений интегральных микросхем 6. Основы технологии ИМС 6.1. Технология полупроводниковых ИМС 6.2. Технология тонкопленочных ГИС и МСБ 6.3. Т