Радиационные эффекты в интегральных микросхемах

Автор(ы)

Агаханян Т.М, Аствацатурьян Е.Р, Скоробогатов П.К

Год

1989

Издательство

Энергоатомиздат

Язык

rus

ISBN

5-283-02963-8

Библиографическая ссылка

М.: Энергоатомиздат, 1989. — 256 с.

Теги

Электроника

Аннотация

Радиационные эффекты в интегральных микросхемах Год издания : 1989 Автор : Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р., Скоробогатов П.К. Издательство : М.: Энергоатомиздат ISBN : 5-283-02963-8 Язык : Русский Формат : DjVu Качество : Отсканированные страницы + слой распознанного текста Количество страниц : 256 Описание : Представлены основы теории взаимодействия ионизирующих излучений с материалами электронной техники. Приведены модели поведения элементов ИМС в полях ионизирующих излучений. Рассмотрены особенности вторичных ионизационных эффектов - радиационного "защелкивания", радиационно-индуцированного вторичного пробоя и т.д.; влияние остаточных и переходных ионизационных эффектов на характеристики типовых элементов цифровых и аналоговых ИМС. Проанализированы радиационные эффекты в цифровых и аналоговых ИМС общего назначения и рассмотрено радиационное поведение БИС, включая анализ микродозиметрических эффектов, функциональных эффектов. Для научных работников и специалистов, занимающихся разработкой радиоэлектронной аппаратуры в области ядерного приборостроения, космической техники и связи. Примеры страниц