Радиационные эффекты в интегральных микросхемах
- Автор(ы)
- Агаханян Т.М, Аствацатурьян Е.Р, Скоробогатов П.К
- Год
- 1989
- Издательство
- Энергоатомиздат
- Язык
- rus
- ISBN
- 5-283-02963-8
- Выходные данные
- М. : Энергоатомиздат, 1989. — 256 с.
- Теги
- Электроника
Аннотация
Радиационные эффекты в интегральных микросхемах Год издания : 1989 Автор : Агаханян Т.М., Аствацатурьян Е.Р., Скоробогатов П.К. Издательство : М.: Энергоатомиздат ISBN : 5-283-02963-8 Язык : Русский Формат : DjVu Качество : Отсканированные страницы + слой распознанного текста Количество страниц : 256 Описание : Представлены основы теории взаимодействия ионизирующих излучений с материалами электронной техники. Приведены модели поведения элементов ИМС в полях ионизирующих излучений. Рассмотрены особенности вторичных ионизационных эффектов - радиационного "защелкивания", радиационно-индуцированного вторичного пробоя и т.д.; влияние остаточных и переходных ионизационных эффектов на характеристики типовых элементов цифровых и аналоговых ИМС. Проанализированы радиационные эффекты в цифровых и аналоговых ИМС общего назначения и рассмотрено радиационное поведение БИС, включая анализ микродозиметрических эффектов, функциональных эффектов. Для научных работников и специалистов, занимающихся разработкой радиоэлектронной аппаратуры в области ядерного приборостроения, космической техники и связи. Примеры страниц
Как сослаться (ГОСТ Р 7.0.5-2008)
- В списке литературы
- Агаханян Т. М., Аствацатурьян Е. Р., Скоробогатов П. К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах. — М. : Энергоатомиздат, 1989. — 256 с.
- В тексте
- (Агаханян Т. М., Аствацатурьян Е. Р., Скоробогатов П. К. Радиационные эффекты в интегральных микросхемах. М. : Энергоатомиздат, 1989. 256 с.)