Теория поглощения и испускания света в полупроводниках
- Автор(ы)
- Грибковский В.П
- Год
- 1975
- Язык
- rus
- Теги
- Электроника
Аннотация
Теория поглощения и испускания света в полупроводниках Год : 1975 Автор : Грибковский В.П. Издательство : Наука и техника ISBN : отсутствует Язык : Русский Формат : DjVu Качество : Отсканированные страницы Количество страниц : 231 разворот + обложка Описание : В книге с единой точки зрения излагается теория поглощения и усиления света, спонтанной и стимулированной рекомбинации в полупроводниках. Особое внимание уделено взаимодействию вещества с мощными потоками излучения, которые приводят к появлению эффектов насыщения. Впервые в монографической литературе по полупроводникам рассмотрен ряд принципиальных вопросов теории люминесценции: изложена методика вычисления люминесценции как превышения над фоном теплового испускания, сформулирован критерий появления отрицательной люминесценции, проанализировано универсальное соотношение между спектрами люминесценции и поглощения при отсутствии термодинамического равновесия, показана аналогия оптических свойств сложных молекул и полупроводников. Рассчитана на научных сотрудников, аспирантов, специалистов, занимающихся разработкой, созданием и применением полупроводниковых лазеров, фототропных фильтров и оптоэлектронных устройств. Может быть также использована студентами физических факультетов вузов. Примеры страниц Оглавление Доп. информация : Опубликовано группой